{"id":27066,"date":"2016-09-27T00:39:55","date_gmt":"2016-09-27T00:39:55","guid":{"rendered":"https:\/\/www.institutodeengenharia.org.br\/?p=27066"},"modified":"2016-09-27T14:41:51","modified_gmt":"2016-09-27T14:41:51","slug":"o-misterioso-memoristor-desafia-os-pesquisadores","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.institutodeengenharia.org.br\/site\/2016\/09\/27\/o-misterioso-memoristor-desafia-os-pesquisadores\/","title":{"rendered":"O misterioso memoristor desafia os pesquisadores"},"content":{"rendered":"<p>Em 1971, um professor de engenharia el\u00e9trica e ci\u00eancias da computa\u00e7\u00e3o da Universidade da Calif\u00f3rnia em Berkeley (EUA) publicou um trabalho em que propunha a exist\u00eancia de um novo componente b\u00e1sico da eletr\u00f4nica. <\/p>\n<p>Leon Chua defendeu a ideia de que poderia haver um resistor com mem\u00f3ria, o memoristor, com propriedades \u00fanicas desde que fosse confeccionado na escala nanom\u00e9trica. <\/p>\n<p>Ent\u00e3o um conceito te\u00f3rico e matem\u00e1tico, esse elemento seria capaz de oscilar, quase instantaneamente, entre o comportamento de um isolante e o de um semicondutor e de \u201clembrar\u201d seu \u00faltimo n\u00edvel de resist\u00eancia el\u00e9trica quando deixasse de receber uma corrente. <\/p>\n<p>Apenas em 2008, 37 anos mais tarde, uma equipe dos HP Labs, dos Estados Unidos, produziu o primeiro circuito baseado no componente elusivo. Os pesquisadores fizeram um nanofilme de \u00f3xido de tit\u00e2nio com memoristores de 15 nan\u00f4metros. <\/p>\n<p>A partir desse trabalho, o memoristor passou a ser divulgado como um curinga em potencial da nascente nanoeletr\u00f4nica. <\/p>\n<p>Ele seria capaz de desempenhar, mais rapidamente, com menor consumo de energia e de espa\u00e7o f\u00edsico, as duas tarefas mais b\u00e1sicas de um computador: processar (como um chip com transistores de sil\u00edcio) e armazenar (como os discos r\u00edgidos de PCs e a mem\u00f3ria flash de pen drives) informa\u00e7\u00e3o. <\/p>\n<p>At\u00e9 hoje, n\u00e3o se sabe ao certo por que os memoristores funcionam de maneira singular, embora algumas empresas, como a gigante Panasonic e a pequena Knowm, do Novo M\u00e9xico (EUA), j\u00e1 estejam comercializando timidamente vers\u00f5es modestas de chips baseados nesse componente. <\/p>\n<p>A movimenta\u00e7\u00e3o de alguns \u00e1tomos de oxig\u00eanio no interior de nanofilmes feitos de \u00f3xidos met\u00e1licos, quando submetidos a distintas correntes el\u00e9tricas, \u00e9 a tese mais aceita para justificar as propriedades singulares dos memoristores. <\/p>\n<p>Uma equipe de f\u00edsicos te\u00f3ricos das universidades Federal do ABC (UFABC), Estadual Paulista (Unesp) e Nacional de Yokohama (Jap\u00e3o) prop\u00f4s no in\u00edcio de julho, em um artigo no peri\u00f3dico Scientific Reports, uma explica\u00e7\u00e3o alternativa para o fen\u00f4meno: a circula\u00e7\u00e3o de el\u00e9trons seria a principal respons\u00e1vel pelas caracter\u00edsticas desse componente, visto que o \u201candar\u201d de \u00e1tomos n\u00e3o seria r\u00e1pido o bastante para produzir os efeitos atribu\u00eddos aos memoristores. <\/p>\n<p>Esses componentes podem mudar sua resist\u00eancia em raz\u00e3o da passagem de uma corrente el\u00e9trica em poucos picossegundos (a trilion\u00e9sima parte de um segundo equivale a um picossegundo). <\/p>\n<p>\u201cN\u00e3o estamos afirmando que esse efeito se deva apenas a um fen\u00f4meno eletr\u00f4nico\u201d, explica Gustavo Dalpian, f\u00edsico da UFABC, coordenador da equipe que produziu o estudo te\u00f3rico, feito no \u00e2mbito de um projeto tem\u00e1tico da FAPESP. \u201cMas acreditamos que s\u00f3 a oscila\u00e7\u00e3o dos \u00e1tomos no interior do material n\u00e3o seria suficiente para explicar as caracter\u00edsticas dos memoristores.\u201d <\/p>\n<p>Segundo o artigo, em determinadas configura\u00e7\u00f5es internas de seus \u00e1tomos, como nas chamadas fases deficientes em oxig\u00eanio do \u00f3xido de tit\u00e2nio, os memoristores conseguem armazenar carga. <\/p>\n<p>\u201cIsso altera suas propriedades eletr\u00f4nicas e, consequentemente, sua capacidade de conduzir ou n\u00e3o a eletricidade\u201d, afirma o f\u00edsico Antonio Claudio Padilha, outro coautor do estudo, que fez doutorado sobre o tema na UFABC e hoje realiza um p\u00f3s-doutorado na Universidade de York, na Inglaterra. <\/p>\n<p>A nova proposta de teoria para esclarecer a natureza do funcionamento do memoristor ainda precisa ser amparada por dados provenientes de experimentos. Alguns pesquisadores que trabalham h\u00e1 mais tempo na \u00e1rea se mostram c\u00e9ticos em rela\u00e7\u00e3o a mudar o foco explicativo do fen\u00f4meno dos \u00e1tomos para os el\u00e9trons. <\/p>\n<p>Esse \u00e9 o caso do f\u00edsico Gilberto Medeiros-Ribeiro, da Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG). Em abril deste ano, tr\u00eas meses antes do artigo de Dalpian e seus colaboradores, Ribeiro e uma equipe de pesquisadores da HP refor\u00e7aram a hip\u00f3tese tradicional sobre o mecanismo de funcionamento desse tipo de componente com novas evid\u00eancias. <\/p>\n<p>Em artigo publicado na Nature Communications, os cientistas relataram a medi\u00e7\u00e3o de um ru\u00eddo interno originado pela movimenta\u00e7\u00e3o de \u00edons (\u00e1tomos que perderam ou ganharam el\u00e9trons) em um sistema com memoristores feitos de \u00f3xido de t\u00e2ntalo. <\/p>\n<p>\u201cO ru\u00eddo era 10 mil vezes maior nos pontos de contato entre os \u00e1tomos e os eletrodos do circuito\u201d, informa Ribeiro, que trabalhou por quatro anos e meio nos HP Labs como gerente de pesquisa com memoristores antes de ser contratado pela universidade mineira. <\/p>\n<p>\u201cNas dimens\u00f5es de nossos dispositivos, basta um \u00e1tomo de oxig\u00eanio \u2018andar\u2019 uma posi\u00e7\u00e3o at\u00f4mica dentro do memoristor para que sua resist\u00eancia diminua 10 vezes.\u201d <\/p>\n<p>No estudo, Ribeiro e os colegas da empresa norte-americana criaram memoristores em que o canal interno, o espa\u00e7o em que os \u00edons poderiam se mover, equivalia \u00e0 espessura de um \u00e1tomo. <\/p>\n<p>Como a radia\u00e7\u00e3o c\u00f3smica de fundo \u00e9 um dos ind\u00edcios da exist\u00eancia do Big Bang, esse ru\u00eddo interno excessivo dos memoristores, que ocorre apenas em condi\u00e7\u00f5es de contato at\u00f4mico, seria uma evid\u00eancia do movimento dos \u00edons dentro do material.<\/p>\n<p><b>Autor: Exame.com<\/b><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Em 1971, um professor de engenharia el\u00e9trica e ci\u00eancias da computa\u00e7\u00e3o da Universidade da Calif\u00f3rnia em Berkeley (EUA) publicou um trabalho em que propunha a exist\u00eancia de um novo componente b\u00e1sico da eletr\u00f4nica. 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