Os esfor\u00e7os de US$3bi da IBM para chegar \u00e0 era p\u00f3s-sil\u00edcio deram novos resultados pr\u00e1ticos. <\/p>\n
H\u00e1 poucos meses, a empresa anunciou ter conseguido integrar semicondutores futur\u00edsticos em chips de sil\u00edcio. Logo em seguida, em parceria com a Samsung, a empresa empurrou a fronteira atual da miniaturiza\u00e7\u00e3o da eletr\u00f4nica, alcan\u00e7ando a faixa dos 7 nan\u00f4metros. <\/p>\n
Agora foi dado um passo importante para substituir os transistores de sil\u00edcio por nanotubos de carbono – para quem n\u00e3o se lembra, os nanotubos de carbono j\u00e1 foram t\u00e3o famosos quanto o grafeno, mas os progressos na sua utiliza\u00e7\u00e3o pr\u00e1tica est\u00e3o sendo mais lentos do que se esperava. <\/p>\n
Trans\u00edstor de nanotubo <\/p>\n
Os engenheiros da IBM conseguiram miniaturizar os contatos el\u00e9tricos que chegam aos componentes sem diminuir o desempenho do trans\u00edstor de nanotubo, abrindo o caminho para a constru\u00e7\u00e3o de processadores e chips em geral com uma capacidade muito superior aos atuais. <\/p>\n
Os ganhos s\u00e3o t\u00e3o grandes que permitem levar a tecnologia da microeletr\u00f4nica para o n\u00edvel de 1,8 nan\u00f4metro, quatro gera\u00e7\u00f5es tecnol\u00f3gicas \u00e0 frente da atual. <\/p>\n
Al\u00e9m de menores e mais r\u00e1pidos, os transistores de nanotubos de carbono consomem menos energia e dissipam menos calor, al\u00e9m de serem mais resistentes aos vazamentos de corrente e \u00e0s interfer\u00eancias que est\u00e3o impedindo o aumento de velocidade dos microprocessadores – foi esse gargalo que levou \u00e0 atual tend\u00eancia de constru\u00e7\u00e3o de processadores com m\u00faltiplos n\u00facleos, j\u00e1 que n\u00e3o \u00e9 poss\u00edvel acelerar cada n\u00facleo individualmente, como ocorreu durante quase 25 anos.<\/p>\n
Transistores de carbono <\/p>\n
Nos transistores de carbono, os el\u00e9trons podem se mover mais facilmente do que nos componentes de sil\u00edcio, e as dimens\u00f5es ultrafinas dos nanotubos – e do grafeno – proporcionam vantagens adicionais na escala at\u00f4mica. <\/p>\n
Dentro de um chip, os contatos s\u00e3o como v\u00e1lvulas que controlam o fluxo dos el\u00e9trons do metal para dentro dos canais do trans\u00edstor, que \u00e9 semicondutor. <\/p>\n
Conforme os transistores diminuem de tamanho, a resist\u00eancia el\u00e9trica desses contatos aumenta exponencialmente, o que impede qualquer otimiza\u00e7\u00e3o de desempenho. At\u00e9 agora, diminuir o tamanho dos contatos causava uma queda estrondosa no desempenho – quer seja nos transistores de sil\u00edcio, quer seja nos de nanotubos ou de grafeno. <\/p>\n
Os pesquisadores da IBM inventaram um novo processo metal\u00fargico para fabricar os contatos, uma esp\u00e9cie de solda microsc\u00f3pica, que liga quimicamente os \u00e1tomos do metal dos contatos el\u00e9tricos aos \u00e1tomos de carbono nas extremidades dos nanotubos. Este esquema “ligado pelas pontas” permite que os contatos sejam miniaturizados abaixo dos 10 nan\u00f4metros sem perda no desempenho dos transistores de nanotubos de carbono. <\/p>\n
Bibliografia: <\/p>\n End-bonded contacts for carbon nanotube transistors with low, size-independent resistance Autor: Inova\u00e7\u00e3o Tecnol\u00f3gica <\/b><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Os esfor\u00e7os de US$3bi da IBM para chegar \u00e0 era p\u00f3s-sil\u00edcio deram novos resultados pr\u00e1ticos. H\u00e1 poucos meses, a empresa anunciou ter conseguido integrar semicondutores futur\u00edsticos em chips de sil\u00edcio. Logo em seguida, em parceria com a Samsung, a empresa empurrou a fronteira atual da miniaturiza\u00e7\u00e3o da eletr\u00f4nica, alcan\u00e7ando a faixa dos 7 nan\u00f4metros. Agora […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[6,35],"tags":[],"class_list":{"0":"post-26010","1":"post","2":"type-post","3":"status-publish","4":"format-standard","6":"category-noticias","7":"category-pesquisa-e-desenvolvimento"},"yoast_head":"\n
\nQing Cao, Shu-Jen Han, Jerry Tersoff, Aaron D. Franklin, Yu Zhu, Zhen Zhang, George S. Tulevski, Jianshi Tang, Wilfried Haensch
\nScience
\nVol.: 350 no. 6256 pp. 68-72
\nDOI: 10.1126\/science.aac8006<\/em><\/p>\n