{"id":18858,"date":"2010-08-11T22:53:21","date_gmt":"2010-08-11T22:53:21","guid":{"rendered":"https:\/\/www.institutodeengenharia.org.br\/?p=18858"},"modified":"2010-08-11T16:10:17","modified_gmt":"2010-08-11T16:10:17","slug":"memoria-com-nova-tecnologia-envolvendo-eletrons-e-criada-nos-eua","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.institutodeengenharia.org.br\/site\/2010\/08\/11\/memoria-com-nova-tecnologia-envolvendo-eletrons-e-criada-nos-eua\/","title":{"rendered":"Mem\u00f3ria com nova tecnologia envolvendo el\u00e9trons \u00e9 criada nos EUA"},"content":{"rendered":"<p>Pesquisadores da Universidade estadual de Ohio, nos Estados Unidos, conseguiram construir a primeira mem\u00f3ria de computador baseada no spin eletr\u00f4nico para ler e transmitir informa\u00e7\u00e3o. O nome do material \u00e9 van\u00e1dio tetracianoetileno, \u00e9 o primeiro magneto \u00e0 base de pol\u00edmeros que funciona acima da temperatura ambiente. <\/p>\n<p>Spin \u00e9 um termo utilizado para expressar a capacidade que part\u00edculas subat\u00f4micas t\u00eam de apresentar movimento de rota\u00e7\u00e3o quando submetidas a um campo magn\u00e9tico. N\u00e3o significa que elas girem no espa\u00e7o, j\u00e1 que o spin n\u00e3o diz respeito \u00e0s tr\u00eas dimens\u00f5es espaciais conhecidas. <\/p>\n<p>A nova tecnologia, uma alternativa \u00e0 microeletr\u00f4nica tradicional, permite explorar as propriedades magn\u00e9ticas de materiais muito finos. Os resultados do trabalho coordenado por Arthur Epstein s\u00e3o tema da revista Nature Materials em agosto. <\/p>\n<p><strong>Spintr\u00f4nica <br \/>\n<\/strong><br \/>\nCompostos eletr\u00f4nicos comuns armazenam informa\u00e7\u00e3o com uso do sistema bin\u00e1rio, apenas utilizando 0 e 1, de acordo com a presen\u00e7a ou n\u00e3o do el\u00e9tron em uma parte de determinado material. <\/p>\n<p>Cientistas descobriram durante o s\u00e9culo XX que el\u00e9trons podem ser polarizados em dire\u00e7\u00f5es espec\u00edficas, distintas das dimens\u00f5es do cotidiano. O trabalho com essa propriedade dos el\u00e9trons, voltado para o armazenamento de informa\u00e7\u00e3o, chama-se spintr\u00f4nica. <\/p>\n<p>&#8220;A spintr\u00f4nica \u00e9 vista, normalmente, como um caminho para obter mais informa\u00e7\u00e3o de um el\u00e9tron, mas \u00e9, na verdade, a pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de eletr\u00f4nicos&#8221;, afirma Epstein. &#8220;Muitos dos problemas enfrentados por computadores hoje poderiam ser resolvidos por meio da spintr\u00f4nica.&#8221; <\/p>\n<p>Alterar o spin de um el\u00e9tron requer pouco energia, segundo o especialista. Com a menor gera\u00e7\u00e3o de calor, dispositivos \u00e0 base de spintr\u00f4nica poderiam funcionar com bateria menores. Caso fabricados com pl\u00e1stico, eles tamb\u00e9m seriam leves e flex\u00edveis. <\/p>\n<p>No caso da experi\u00eancia da Universidade de Ohio, o material utilizado \u00e9 classificado por Epstein como um h\u00edbrido entre um semicondutor feito com material org\u00e2nico e outro \u00e0 base de pol\u00edmero magn\u00e9tico, conhecido como im\u00e3 pl\u00e1stico. <\/p>\n<p>&#8220;A nossa conquista foi usar um semicondutor \u00e0 base de pol\u00edmero magn\u00e9tico como um polarizador de spin&#8221;, diz Epstein. &#8220;Isso significa que n\u00f3s conseguimos salvar informa\u00e7\u00e3o com apenas um pequeno campo magn\u00e9tico e um detector de spin, para que pud\u00e9ssemos ler os dados.&#8221; <\/p>\n<p><b>Autor: G1<\/b><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Pesquisadores da Universidade estadual de Ohio, nos Estados Unidos, conseguiram construir a primeira mem\u00f3ria de computador baseada no spin eletr\u00f4nico para ler e transmitir informa\u00e7\u00e3o. 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